STAC4932F1MR

量産中

350 W 50 V HF/VHF DMOS in STAC moisture-resistant flangeless package

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製品概要

概要

The STAC4932F1MR is an N-channel MOS fieldeffect RF power transistor. It is intended for use in 50 V / 80 V ISM applications up to 250 MHz. The STAC4932F1MR benefits from the latest generation of environmentally designed packaging, ruggedized against cyclic high moisture operation and severe storage conditions.
This device contains Beryllium oxide (BeO), which is hazardous if inhaled or ingested.
  • 特徴

    • Improved ruggedness V(BR)DSS > 200 V
    • Load mismatch 65:1 all phases @ 350 W - 50 V - 123 MHz
    • POUT = 450 W typ. with 24 dB gain at 123 MHz
    • In compliance with the 2002/95/EC European directive
    • Moisture resistant package specifically designed to operate in extreme environments
    • Drying recommendation before soldering:
      • 48 hrs at 125 °C
    • Back finishing:
      • Sn96.5/Ag3/Cu0.5 solder
      • Base flatness < 0.2 mm
      • Gold content < 0.1%
      • Minimum solder thickness > 2 μm

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STMicroelectronics - STAC4932F1MR

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3Dモデル

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STAC4932F1MR
量産中
STAC780-4F インダストリアル Ecopack1

STAC4932F1MR

Package:

STAC780-4F

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

STAC780-4F

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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STAC4932F1MR

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量産中
EAR99 NEC Loose Piece STAC780-4F - -

STAC4932F1MR

製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Loose Piece

パッケージ

STAC780-4F

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-

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。