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STの高い信頼性を誇る耐放射線パワーMOSFETは、高信頼性要件および航空・宇宙アプリケーション向けに特別に設計されています。最大ブレークダウン電圧100V、最大ドレイン電流48Aおよび最小RDS(on) 30mΩの範囲のデバイスを提供しています。

ESCC規格の認証を取得し、70kradのTID放射線性能を満たしています。 
これらの製品は、すべて欧州内で設計しているため、欧州の輸出規則にのみ制約されます。

また、ダイとパッケージ(挿入型ハーメチック・パッケージのTO-254AAを含む)で供給しています。 

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