BiCMOS
宽带数据的激增和不断演进的电信标准需要高性能的设备，导致电路变得日益复杂。新的高数据速率服务正在推动光学和无线系统使用更高的工作频率，同时需要更高的芯片集成规模，更低的功耗和优化的成本结构。
汽车雷达（24 / 77GHz）、卫星通信、LAN RF收发器（60GHz）、点对点无线电（V波段/ E波段）、国防、安全或仪表等新型微波应用对射频性能和工作条件也提出苛刻的要求。
为了契合这种需求趋势，意法半导体正在积极地布局BiCMOS技术，为这些需求提供最佳的解决方案。
BiCMOS: 两全其美
BiCMOS是把两种不同工艺的技术优势整合在一颗芯片上，双极晶体管开关速度快，增益高，这个优势对高频模拟器件至关重要，而CMOS技术擅长构建简单的低功耗逻辑门。
通过在一颗芯片上集成射频、模拟和数字三种电路，意法半导体的BiCMOS SiGe（锗硅）技术大幅减少了外部元件的数量，同时优化了功耗。
今天意法半导体的BiCMOS工艺技术带来了过去只有采用砷化镓（GaAS）等更昂贵的技术才能达到的性能水平，同时提供了显著的集成度优势。
在给定的技术节点， BiCMOS异质结双极晶体管（HBT）的截止频率远高于体硅CMOS。换句话说，要想达到相同的频率，体硅CMOS设计必须使用节点小很多的工艺，迫使设计人员做出妥协和让步，导致设计的总体性能下降，成本上升。
因此，与其它的替代方案相比，意法半导体的BiCMOS具有更好的成本优势，因此可以实现新的业务案例。
意法半导体引领BiCMOS技术发展
凭借在设计、架构和工艺集成方面的多年沉淀和专长，意法半导体提供目前最先进的SiGe BiCMOS技术，用于设计高性能的射频芯片。
今天，意法半导体的BiCMOS技术被广泛用于全球大多数无线基站和光收发器，以及无线终端、汽车雷达和仪表板解决方案。
提供最先进的技术
意法半导体的BiCMOS系列产品设计采用真正的混合信号方法，提供产品设计优化所需的全部技术，包括：
- 各种MOS和双极晶体管
- V-PNP、DMOS、双栅氧化MOS
- 取得最佳的速度噪声比的SiGe-C HBT
- 高Q电感和低损耗传输线所用的毫米波专用金属层（厚铜层）
意法半导体的BiCMOS工艺结合高电阻率衬底和深沟道隔离技术，为射频模块有效集成提供同类最佳的隔离功能。
为优化设计和制造提供丰富的产品线
意法半导体的BiCMOS设计平台包含最先进的CAD工具和功能完整的高效的设计流程，其中包括一组非常精确的仿真模型，许多客户的成功的IC设计证明了该平台的效用。
从纯代工到ASIC设计、开发和支持等各种服务，意法半导体可以让许多不同的业务模式共享BiCMOS技术，这种灵活的商用模式让意法半导体能够提供最适合的解决方案，满足客户的任何要求。
在使用BiCMOS开发各种模拟、射频和数字IP内核方面，意法半导体积累了丰富的经验，可帮助客户简化产品设计，确保产品快速上市。