FD-SOI

在过去的几十年中,晶体管的尺寸不断缩小,同时性能显著提高,功耗大幅降低。受益于晶体管技术进步,电子产品性能变得更好,能够以更快捷、更简单、更高效的方式,做更有用的、更重要的、更有价值的事情,也就是营销人员口中的“更好的用户体验”。

近年来,晶体管的尺寸已经缩小到几十纳米,这种趋势让新一代新技术面临严峻的挑战。以泄漏电流为例,现在的晶体管尺寸太小了,以至于泄漏电流在晶体管功耗中占比相当可观。

为了继续提供更高的性能,同时保持泄漏电流可控,硅晶体管变得越来越复杂,增加了额外的制造工序,最近考虑转向新的昂贵的3D架构。

意法半导体与合作伙伴一起另辟蹊径,以逐步利用现有制造方法为原则,推出了新的硅制造工艺创新成果。FD-SOI技术又称完全耗尽型绝缘体上硅,是一种平面工艺技术,具有减少硅几何尺寸同时简化制造工艺的优点。

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