出色的能效

FD-SOI技术改进的静电特性有两大优点:低压开关速度更快,功率管理效率更高。由于采用超薄埋氧层(BOX),体偏压对晶体管沟道的控制作用更强,这有助于优化动静态功耗。

总之,FD-SOI能效表现出色,可提高便携式设备每瓦计算能力,降低散热量,延长电池续航能力。

存储器受益

结合ST获得专利的“单阱”位单元架构,FD-SOI技术可显著改善SRAM存储器特性,使其能够在低压下工作,漏电流极低,同时性能媲美传统体硅SRAM。

此外,FD-SOI存储器具有一流的抗辐射错误能力,为系统节省了电路板空间并提高了可靠性。

模拟高速设计受益

FD-SOI还为模拟设计带来许多好处。沟道的总介质隔离度可降低栅极电容和漏电流,提高总体抗闩锁能力。此外,因为没有沟道掺杂和口袋形离子注入工艺,全耗尽绝缘体上硅晶体管的噪声和增益(高达+ 15dB)特性均优于传统体硅技术。

这些优点化让模拟电路变得更小、更简单,高性能与低功耗兼得。

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