碳化硅
碳化硅（SiC）是一种宽带隙材料，与硅相比，具有许多优点，例如，工作温度更高，散热性能得到改善，开关和导通损耗更低。 不过，宽带隙材料比硅基材料的量产难度更高。
碳化硅特性
碳化硅的优点
更高的性能和工作电压
- 功率损失极低
- 本征SiC体二极管（MOSFET）（4象限开关操作）
- 开关比硅更快，更可靠
- 在击穿电压相同的条件下，芯片尺寸更小
- 能效更高
- 导热性高
更高的工作频率
- 开关损耗更低，二极管开关性能出色
- 更小、更轻量化的系统
更高的工作温度
- 工作节温最高200°C
- 散热要求降低，可用于轻量化系统，延长使用寿命
容易驱动
- 完全兼容标准栅极驱动器
- 设计更简单
ST与碳化硅
意法半导体从1996年开始从事碳化硅技术研发。在半导体市场推出一项新技术，质量高、寿命长，成本有竞争力是基本要求。意法半导体战胜了这种宽带隙材料的量产挑战，于2004年开始生产其首款SiC二极管。2009年，意法半导体的第一款 SiC MOSFET投产，此后又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二极管，以完善原来的650V产品组合。
随着市场竞争愈演愈烈，基础材料的成本不断降低，碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变得更加成熟，意法半导体研制出正在成为汽车电气化的关键推动力的汽车级SiC功率器件。
意法半导体的6英寸碳化硅晶圆于2017年投产，生产规模扩大有助于降低芯片成本，提高市场供应量，满足日益增多的SiC应用的需求（包括更多的太阳能逆变器、工业电机驱动器、家用电器和电源适配器）。
若想更多地了解碳化硅技术，请观看视频。
