碳化硅
历经多年的研发积累,意法半导体于2004年推出了第一款碳化硅二极管。SiC MOSFET问世于2009年,并于2014年开始量产。如今,意法半导体基于SiC技术的中压和高压电力产品已在业内得到了广泛应用。意法半导体积极进行产能扩张,并开发出可靠、稳健的SiC供应链,以满足日益增长的需求,并通过长期供货计划确保持续性。
公司按照高标准生产SiC产品,以确保电动车辆(EV)应用、太阳能逆变器、储能、工业电机驱动和电源拥有可靠的性能和效率。我们的技术超越工业和汽车应用标准,并将瞄准要求更严苛的航空航天应用。
意法半导体以新型碳化硅
器件驱动电动车辆和工业
应用的未来
意法半导体近期完成了其第三代SiC技术平台的鉴定。基于该平台的平面MOSFET为晶体管效率、功率密度和开关性能设定了全新的业界领先基准。第一批产品现已上市。
意法半导体从事SiC研发已经超过25年,并开发了市场领先的SiC解决方案,具有完整的供应链控制。
与传统硅器件相比,基于碳化硅的功率器件具有多种关键优点。其更高的电压和频率性能实现了更高的系统效率、更快速的开关、更低的损耗,以及更出色的热管理。正因如此,SiC器件能够支持更小、更轻的功率设计(具有更高的功率密度)。
基于SiC的功率器件可以在最高200°C的结温下工作(仅受封装限制),降低了冷却要求,支持实现更紧凑、更可靠、更稳固的解决方案。现有设计可在无重大变更的情况下结合SiC器件的性能和效率优势,实现快速开发转向,同时将BOM维持在较低限度。
SiC功率器件可应用于电动车辆内的关键电力系统,包括牵引逆变器、板上充电器和DC/DC转换阶段。它们还为充电站提供了显著的效率提升。相对于硅基器件,SiC器件具有以下优点。
从电机和机器人到各种其他工厂自动化系统,以及服务器和太阳能转换系统的电源——各类工业应用均能受益于SiC器件。对于工业环境,SiC器件相对于硅基器件可以提供以下优势。
应用碳化硅技术的宽带隙材料与传统硅相比具备许多固有优点。