600/650 V超结功率MOSFET技术是全球唯一同时适用于硬开关 (PFC) 和软开关 (LLC) 的技术，600/650 V MDmesh M9系列可以实现更紧凑的解决方案，同时提高功率密度。快速本征二极管MDmesh DM9系列能够提供更高的dv/dt和di/dt值，从而增加应用的耐用性和可靠性。凭借市场上出色的品质因数以及低于前代产品最多46%的RDS(on)，这些超结功率MOSFET可以帮助设计师提高系统效率，增加功率密度，优化散热能力。
欢迎查看全新的MDmesh M9和MDmesh DM9宣传单，全面了解上述STPOWER超结产品系列的关键特性和优势。
测试和分析部分展示了与前代技术和优秀竞争产品的比较基准，突出了我们新系列产品在电源效率方面的出色性能。
关键特性和优势
- 市场上出色的品质因数 (RDS(on) x Qg)
MDmesh M9系列特点
- 在650 V电压范围下具有业界极低的RDS(on)
- 极低的Qg
- 更高的反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性
- 更高的功率水平
- 增加的功率密度和更低的传导损耗
- 高效率和低开关功率损耗
- 高开关速度
- 更高的稳健性和可靠性，更紧凑的设计
MDmesh DM9系列特点
- 本征二极管反向恢复时间性能提高 (trr)
- 更高的dv/dt (120 V/ns) 和di/dt能力 (1300 A/µs)
- 优化的体二极管恢复阶段和软度
- 更高的功率水平
- 极高的效率性能和更高的功率密度
- 增强了系统可靠性和稳定性
- 更高的工作频率和更好的热管理