高压MDmesh M9/DM9功率MOSFET,为服务器、电信、电动车辆充电和太阳能应用提升效率

 

650V/600V的STPOWER MDmesh™ M9和DM9系列提供市面上最出色的FOM RDS(on)*Qg,提高功率密度,让系统解决方案更紧凑。现有两种方案可供选择:
- 比先前技术更小的RDS(on)和更低的Qg,固定封装 
-与先前技术相同的RDS(on)和比先前技术更低的Qg,更小的封装

该类型600/650V设备是开关模式电源 (SMPS) 的理想之选,适用于数据中心服务器、5G发电站、可再生能源和电动车辆充电系统等一系列应用,这些应用都要求在更紧凑和高效的系统中提供更高的功率密度以及更出色的散热能力。MDmesh M9/DM9系列MOSFET有TO-LL表面贴装型和PowerFLAT封装型,具有更低的漏源导通电阻和改进的栅极电荷,是市面上谐振转换器等高功率密度应用中性能最佳的硅器件之一,DM9系列配有快速本征二极管,提高了针对快速瞬态电压的耐用性和可靠性。

 

主要特性和优势

市面最佳品质因数(RDS(on) x Qg)

 

MDmesh M9系列特点

  • 最低的Qg
  • 更高的反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性
  • 更高的功率水平
  • 更高的功率密度和更低的传导损耗
  • 高效率和低开关功率损耗
  • 高开关速度
  • 更高的稳健性和可靠性,更紧凑的设计

 

MDmesh DM9系列特点

  • 本征二极管反向恢复时间性能提高 (trr)
  • 更高的dv/dt (120 V/ns) 和di/dt能力 (1300 A/µs)
  • 优化的体二极管恢复阶段和软度
  • 隔离额定值为2500 Vrms/min

 

 

主要应用

 

M9系列应用:
Fast chargers 快速充电器
两者都适用于:
Solar inverters and microinverters 太阳能逆变器和微型逆变器
Server 服务器
 
Telecom data centers 电信数据中心
Solar inverters and microinverters 5G发电站
DM9系列应用:
EV charging stations 电动车辆充电站
UPS UPS

 

推荐资源

 

 

250-600-650 V MDmesh M9:超结功率MOSFET实现最佳效率
宣传单

行业最佳品质因数(RDS(on) x Qg)提升功率水平和功率密度,让更紧凑的解决方案成为可能。


600-650 V MDmesh DM9:快速恢复SJ功率MOSFET提升效率和稳健性
宣传单

新款硅基SJ MOSFET系列,配备快速本征体二极管,为全桥相移ZVS拓扑提供卓越的效率与可靠性。

MDmesh-MD9 

 

 

 

辐照高压功率MOSFET在线性区域的应用:与标准高压产品的电热性能比较
技术说明

本文研究了在线性区域工作条件下辐照高压功率MOSFET设备的热不稳定现象,并将其电热性能与标准产品进行了比较。实验结果显示,辐照设备的热不稳定性比标准设备更高,因此,在所述的特定工作条件下应谨慎使用。

数字电源指南
宣传册

本宣传册描述了ST广泛的数字电源产品组合,包括功率分离元件,该产品针对软开关谐振和硬开关转换器,旨在最大限度提高高功耗应用的系统效率。

 

 

电源管理指南
宣传册

技术创新是ST连续30多年的战略核心,也是ST今天能够提供一系列先进电源和能源管理产品的原因...

ST推出新款MDmesh MOSFET,功率密度和效率再提升
新闻公告

意法半导体的STPOWER MDmesh M9和DM9 N沟道超结多漏硅功率MOSFET是开关模式电源 (SMPS) 的理想之选,适用于数据中心服务器、5G基础设施和平板电视等一系列应用...

MDmesh-MD9 

 

MDmesh M9和DM9高压硅超结MOSFET和创新封装
在线研讨会录播

如何实现更高的功率水平和更好的热性能,打造更高效紧凑的系统。

  • 概述现今高压MOSFET解决方案在多个行业领域中的应用
  • 我们的MDmesh M9/DM9系列高压硅MOSFET的特点和优点
  • 深入观察特定应用的技术特性和性能测试结果
  • 我们的先进SMD和顶部/双面冷却 (TSC/DSC) 封装的优势