车规级IGBT采用ACEPACK SMIT封装和半桥拓扑结构

650 V、80 A高速IGBT,带续流二极管

stgsh80hb65dag cpn

提高了电气和热效率,使OBC系统更加紧凑和可靠

STGSH80HB65DAG专为在共振和软开关应用中实现效率最大化而设计,它将IGBT和二极管组合成半桥拓扑并封装在单一封装内。该器件具有650 V沟槽场截止IGBT,用于对软换向进行优化,以及采用隔离表面贴装 (SMD) 封装和顶部冷却设计的低压降续流二极管,因DBC基板而具有卓越的热性能。

主要特性

  • 符合 AQG 324 标准
  • 最高结温:175 °C
  • VCE(sat) = 1.7V (typ.) @ IC = 80A
  • 尾电流最小化
  • 参数分布紧凑
  • DBC层带来低热阻
  • 正温度VCE(sat)系数
  • 柔软且恢复速度非常快的反并联二极管
  • 隔离额定值:3.4 kVrms/min

应用示例

电动汽车充电站

车载充电器

DC/DC转换器

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Mounting guidelines for ACEPACK SMIT module packages

ACEPACK SMIT模块封装安装指导

应用笔记

本应用笔记提供了有关安装、处理和焊接ACEPACK SMIT模块封装的指导。还介绍了与散热器类型和组装方法相关的热注意事项。