采用顶部冷却式SMD封装的1200 V车规级SiC MOSFET

采用HU3PAK封装的全新750V SiC MOSFET

更高的效率和热性能可使得电源转换系统更加紧凑和可靠

更高的效率和热性能可使得电源转换系统更加紧凑和可靠

这些符合AEC-Q101标准的器件具有高达1200 V的击穿电压,且兼具意法半导体第三代碳化硅STPOWER技术的内在特性以及顶部冷却式SMD封装 (HU3PAK) 出色的散热性能。新产品优化了原有的能源效率、系统尺寸和重量,具有更加小巧的外形和更为强劲的性能。

STPOWER SiC MOSFET的特点

热性能
- 采用顶部冷却式SMD封装

能源效率
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 开关损耗极低

开关性能
- 高速开关性能
- 源极感应引脚

更加简单的设计
- 稳定的超快速本体二极管

汽车认证
- 符合AEC-Q101标准

 

650 V series
in HU3PAK

750 V series
in HU3PAK

1200 V series
in HU3PAK

击穿电压 (VDS)

650 V

750 V

1200 V

通态电阻(最大值)

63 mΩ , 72 mΩ

78 mΩ

28 mΩ , 87 mΩ

漏极电流
(最大值)

30 A

30 A

30 A , 100 A

产品参考

SCT040HU65G3AG

SCT055HU65G3AG

SCT060HU75G3AG

SCT020HU120G3AG

SCT070HU120G3AG

STPOWER SiC MOSFET的特点

主要应用

车载充电器

DC/DC转换器

电动汽车充电

太阳能

推荐资源

stpower gen3 sic mosfets

第三代SiC MOSFET可有效提升下一代电动汽车应用的效率

宣传单

第三代SiC MOSFET具有超低的RDS(on),能够有效优化电动汽车的行驶里程、系统尺寸以及重量。我们全面的产品组合支持可达1200 V的超高击穿电压。器件采用最为先进的封装设计,可以满足最严格的汽车和工业标准。

stpower gen3 sic mosfets

HU3PAK封装安装指南及实现最佳热性能的注意事项

技术笔记

本笔记提供了封装安装、处理和焊接的相关指南,还介绍了与散热片类型和装配方法相关的散热注意事项。用户可以从中学习如何通过管理芯片与周围环境之间的热传递来限制芯片温度,以确保组件性能正常并避免发生故障。

碳化硅助力更可持续的未来

碳化硅器件支持更小、更轻的功率设计,具有更高的功率密度