SCT055HU65G3AG automotive-grade silicon carbide power MOSFET 650V-30A 58 mOhm typ. in an HU3PAK package

650V汽车级碳化硅STPOWER MOSFET配备SMD HU3PAK顶部冷却式封装

SCT055HU65G3AG兼具意法半导体第3代STPOWER SiC技术的固有特性与顶部冷却式封装出色的热性能,非常适用于电动汽车应用中的OBC和DC/DC转换器以及工业应用中的功率转换。 

SCT055HU65G3AG在整个温度范围内都具有极低的RDS(on),兼具低电容和非常高的开关频率,不仅能提高应用中的频率、能效性能,还能减小系统尺寸和重量。此外,采用先进的顶部冷却式表面贴装 (SMD) 封装(HU3PAK封装),可以减小外形尺寸、提高设计灵活性并优化热性能,同时增加功率密度。

该器件具有附加的Kelvin源极引脚,可减小接通/关断开关损耗,有助于设计人员进一步提高效率。

有关HU3pak封装的更多信息,请访问此页面面向汽车应用的顶部冷却式SMD封装

主要特性

  • 符合AEC-Q101标准
  • 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
  • 高速开关性能
  • 稳定的超快速本体二极管
  • 源极感应引脚可提高效率

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