SiC 在半桥拓扑中的应用

快速方便地评估意法半导体SiC功率MOSFET的性能

STDES-SICGP4参考设计为半桥拓扑结构，用于评估采用HiP247-4（四个引线）封装的SiC功率MOSFET的开关和热性能。MOSFET由隔离式栅极驱动器驱动，而这些驱动器由隔离式DC-DC转换器供电。

该设计包括了必要的元件，可用于实现双脉冲测试 (DPT) 环境，以及探索碳化硅MOSFET以降压或升压配置运行的情况。最终系统需要配备一个外部电感器、一个电源、一个负载和一个辅助电源，并需要接入PWM信号。该评估板交付时已配备一个用于连接外部同轴分流器的连接器。