STDES-SICGP4参考设计:在半桥拓扑结构中测试SiC MOSFET性能

快速方便地评估采用HiP247-4(四个引线)封装的STPOWER SiC MOSFET的性能

快速方便地评估采用HiP247-4(四个引线)封装的STPOWER SiC MOSFET的性能

本参考设计作为半桥拓扑结构,用于评估采用HiP247-4(四个引线)封装的SiC功率MOSFET的开关和热性能。该设计包括了用于实现双脉冲测试 (DPT) 环境以及探索碳化硅MOSFET以降压或升压配置运行情况的必要元件。此测试平台是优化设计和确保最终应用实现最高效率的重要工具。

主要特性:

  • 由STGAP2HS电流隔离式栅极驱动器驱动
  • 隔离栅极驱动器由隔离反激式转换器供电
  • 预设+18 V/-3 V电源电压,用于隔离栅极驱动器的输出级
  • 低电感检测电阻
  • 同轴分流电阻
  • 最大1 kV直流输入/输出电压
  • 69 A输入峰值电流(持续时间最长100 μs)

主要应用

电源与转换器

直流-直流转换器

工业电源

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用户手册

STDES-SICGP4提供了一种测试平台参考设计,用于测试意法半导体碳化硅 (SiC) MOSFET的高速开关性能。该平台采用了适用于HiP247-4封装的半桥配置。

STDES-SICGP4测试报告

技术笔记

该平台由采用HiP247-4封装的半桥结构以及栅极驱动器和隔离式辅助电源组成。数字信号可以外部连接到栅极驱动器输入,通过切换到半桥结构来控制MOSFET。此套件能够使用双脉冲测试 (DPT) 和其他测试场景来测试MOSFET的开关性能。