STL120N10F8工业级N沟道100V STPOWER STripFET F8功率MOSFET

N沟道增强模式标准级100V功率MOSFET，V_GS=10V时的最大导通电阻为4.6mΩ，采用PowerFLAT 5x6封装

这款工业级N沟道MOSFET采用最新的STPOWER STripFET F8技术并结合全新的氧化物填充沟槽技术，可提供极低的导通损耗和超低的栅极电荷，能够实现极具竞争力的开关性能。

STL120N10F8的品质因数比前代器件降低40%，确保在电机控制应用、电信与计算机系统的电源和转换器、LED和低电压照明以及消费电器和电动工具等电池供电设备中显著提升效率，降低电磁干扰。