TO-LL无引线及SMD 散热效率高封装，适合高电源需求应用

TO-LL leadless package for M6/DM6 superjunction STPOWER MOSETs

高达650V 的HV超结STPOWER MOSFET采用了高爬电TO-LL表面贴装型无引线封装，具有适当的厚度，适用于服务器、SMPS、数据中心、太阳能微逆变器等类似工业应用中的结构紧凑、节省空间的功率转换器应用。

用户可借助TO-LL封装在热量管理、电流能力和PCB空间之间实现完美平衡。凭借TO-LL封装较低的Rthj-amb以及位于主板上的散热孔和底部散热器，与SMD和通孔式封装相比，设计人员可以有效减少所占用的PCB空间，TO-LL封装还能够更加有效地管理散热。

此外，附加在封装上的Kelvin源引线也可帮助设计人员减少开启/关闭的开关损耗，从而达到提升效率的目的。

另一个关键特征是漏极和源极焊盘之间的爬电距离为2.7 mm，该特征有助于实现更好的隔离和保护，从而避免因电压超出器件的击穿额定值而造成的故障。

意法半导体提供采用TO-LL封装的MDmesh M6 (600V) 和MDmesh DM6 (600-650V) 超结MOSFET，适合服务器、电信数据中心、SMPS和太阳能微逆变器等应用。随着最新的MDmesh M9和DM9系列STPOWER MOSFET应用的加入，TO-LL封装的器件范围将得到进一步扩展。