VNL5030J-E

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OMNIFET III: fully protected low-side driver

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  • The VNL5030J-E and VNL5030S5-E are monolithic devices made using STMicroelectronics®VIPower®technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side connected to the battery. Built-in thermal shutdown protects the chip from overtemperature and short-circuit. Output current limitation protects the devices in an overload condition. In case of long duration overload, the device limits the dissipated power to a safe level up to thermal shutdown intervention.Thermal shutdown, with automatic restart, allows the device to recover normal operation as soon as a fault condition disappears. Fast demagnetization of inductive loads is achieved at turn-off.

    主要特性

    • Automotive qualified
    • Drain current: 25 A
    • ESD protection
    • Overvoltage clamp
    • Thermal shutdown
    • Current and power limitation
    • Very low standby current
    • Very low electromagnetic susceptibility
    • Compliant with European directive 2002/95/EC
    • Open drain status output

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      OMNIFET III fully protected low-side driver
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      OMNIFET III fully protected low-side driver

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      AN4798
      VIPower OMNIFET III hardware design guide
      2.0
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      AN4798

      VIPower OMNIFET III hardware design guide

出版刊物和宣传资料

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      OMNIFET III General purpose fully-protected FETs for low-side load driving 1.0
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      OMNIFET III General purpose fully-protected FETs for low-side load driving

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      Smart power solutions for car body applications 4.0
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      Smart power solutions for car body applications

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