较低的漏电流温度系数使其工作更轻松
意法半导体的新型场效应整流二极管（FERD）通过专注于折中升级促进了设计的增强。场效应整流二极管属于我们STPOWER系列。
FERD的设计能够既降低压降又降低漏电流温度系数。因此，失控安全裕度得到了增强，可能超过了肖特基势垒二极管的典型安全裕度。
根据目标应用及其电压，开发人员现在可以在前向压降（VF）和泄漏电流（IR）之间取得完美折中：
- ‘U’ 非常低的前向压降(VF)
- ‘L’较低的前向压降(VF)
- ‘M’与‘SM’中等前向压降，和优化的泄漏电流(IR)
- ‘H’与‘S’高工作温度下也可实现低漏电电流（低IR）
设计人员可以使用我们的波形驱动在线Schottky & FERD eTool 仿真器快速评估最适合其应用的场效应整流器或肖特基二极管。
FERD30H100 - 30 A，100 V器件现在采用DPAK封装！
对于给定的封装尺寸，意法半导体先进的FERD技术比肖特基势垒器件具有更好的密度和更高的效率。最新的60和100V器件具有插件、PowerFLAT™、D²PAK和DPAK封装。更小的、经优化的封装帮助开发人员设计出功耗更低的紧凑型充电器、适配器和SMPS（开关电源），不仅功耗降低，散热器也可以减小。
查看我们的FERD30H100 封装 选项。
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