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意法半导体的600 V IGBT V系列基于先进的专有沟槽场截止(TFS)结构,开关能耗(Eoff)极低,导通损耗低,提高了高开关频率应用中的效率,如焊机、太阳能逆变器、感应加热器、UPS、PFC和SMPS。IGBT属于STPOWER系列。

由于组合封装的超快恢复续流二极管,开启能量损耗也能实现最小化。严格控制参数和正VCE(sat)温度系数实现了多个IGBT的安全并联,从而满足更高的功率要求和简化设计。

600 V IGBT V系列器件的额定电流为20 ~ 80 A,最高工作温度达175 ˚C,具有高dV/dt能力,性能极为稳定。还为成本较敏感的应用提供了无二极管版本。

STPOWER IGBT主要特征:

  • 超高速IGBT系列(50-100 kHz)
  • 具有高达175°C的工作TJ和600 V的击穿电压,稳定可靠
  • 行业最低Eoff提高了效率
  • 正温度系数可实现多个IGBT的安全并联
  • 多种封装选项满足不同应用需求

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。


IGBT V series

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