STGD6M65DF2

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650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 所有功能

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 6 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

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      STPOWER IGBT Finder

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      EVSPIN32F0601S1

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      EVSPIN32F0601S1

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGD6M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss DPAK 工业 Ecopack2

STGD6M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Material Declaration**:

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批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

Package

DPAK

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Industrial

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EAR99 NEC Tape and Reel DPAK -55 175

CHINA

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

STGD6M65DF2 批量生产

封装:
DPAK
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STGD6M65DF2

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

Min:

-55

Max:

175

Country of Origin:

CHINA

一般描述:

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

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