IGBT裸片

意法半导体的IGBT基于先进的专有沟槽场截止（TFS）技术，可在静态特性和动态特性之间实现最理想的平衡，而175°C的最大结温（j max.）增加了器件的可靠性和寿命。裸露晶片IGBT最大电压为1700V且集电极电流最高达200A，可提供不同的平衡，适用于电机控制、伺服驱动、焊接、太阳能和牵引逆变器等广泛应用，此外还提供不同的封装选项，如卷带和盘装中粘性箔或密封晶片上的晶圆。对于汽车产品，由于广泛的测试和检查，KGD（已知良好芯片）测试设备的可用性确保了高度的可靠性和质量。

意法半导体的KGD测试包括：

• 晶片可追溯性（晶圆批次、晶圆编号、晶片在晶圆内的位置以及目录）
• 100%目检顶侧和后侧
• 100%涵盖数据表中的测试

而且，意法半导体还可按需开发新型IGBT晶片形式的产品。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和保护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。