意法半导体击穿电压范围为12 V ~ 30 V的STripFET低压MOSFET提供了超低栅极电荷和低至1.1 mΩ（30 V）的低导通电阻，采用PowerFLAT 5x6封装。对它们进行了优化，从而满足了负载点（PoL）、VRM、主板、笔记本电脑、便携式和超便携式电器、线性调节器、同步整流和汽车应用的各种要求。
在该额定电压下，具有如下主要特性：
- 超低的RDS(on)，增强了应用的效率
- 广泛的封装选项，包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装
- 标准、逻辑和超逻辑级阈值，增强了设计的灵活性
这些低压功率MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、H2PAK、IPAK、I2PAK、PowerSO10、SO-8、SOT-223、TO-220和PowerFLAT（2x2、3.3x3.3、5x6、5x6双岛和5x6共漏极）。
特别推荐
- STH300NH02L-6 汽车级N沟道24 V、0.95 mOhm典型值、180 A STripFET III功率MOSFET，H2PAK-6封装
- STL90N3LLH6 N沟道30 V、0.004 Ohm典型值、90 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STS10N3LH5 N沟道30 V、0.019 Ohm、10 A SO-8 STripFET (TM) V功率MOSFET
- STD86N3LH5 汽车级N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET H5功率MOSFET，DPAK封装
- STD18NF03L N沟道30 V、0.038 Ohm典型值、17A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
- STD95N2LH5 N沟道25 V、0.0038 Ohm、8 A功率MOSFET，DPAK封装
- STP200N3LL N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，TO-220封装
- STL6N3LLH6 N沟道30 V、0.021 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装
- STP90NF03L N沟道30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220低栅极电荷StripFET(TM) II功率MOSFET
- STP40NF03L N沟道30V - 0.020 Ohm - 40A - TO-220 StripFET(TM) II MOSFET
- STL11N3LLH6 N沟道30 V、6 mOhm典型值、11 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3封装
- STN4NF03L N沟道30V - 0.039 Ohm - 4A - SO-223 STripFET(TM) 功率MOSFET
- STB200NF03 N沟道30V - 0.0032 OHM 120A D2PAK STRIPFET II功率MOSFET
- STD96N3LLH6 N沟道30 V、0.0037 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
- STP160N3LL N沟道30 V、2.5 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，TO-220封装
- STL6N2VH5 N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) V功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装
- STL10N3LLH5 N沟道30 V、0.015 Ohm、9 A PowerFLAT(TM) 3.3x3.3 STripFET(TM) V功率MOSFET
- STL40DN3LLH5 汽车级双路N沟道30 V、0.016 Ohm典型值、11 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- STP105N3LL N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET，TO-220封装
- STS8DN3LLH5 双路N沟道30 V、0.0155 Ohm典型值、10 A STripFET(TM) V功率MOSFET，SO-8封装
- STT5N2VH5 N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、5 A STripFET(TM) V功率MOSFET，SOT23-6L封装
- STR2N2VH5 N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、2.3 A STripFET H5功率MOSFET，SOT-23封装
- STP200NF03 N沟道30V - 0.0032Ohm - 120A D2PAK STripFET™ II MOSFET
- STB80NF03L-04T4 N沟道30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II功率MOSFET
- STL58N3LLH5 汽车级N沟道30 V、0.0076 Ohm、56 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STL86N3LLH6AG 汽车级N沟道30 V、4 mOhm典型值、80 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STD80N3LL N沟道30 V、2 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装
- STS8DNF3LL 双路N沟道30 V、0.017 Ohm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，SO-8封装
- STS2DNF30L N沟道30V - 0.09 Ohm - 3A - SO-8 STripFET(TM) II功率MOSFET
- STB155N3LH6 N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，D2PAK封装
- STS6NF20V N沟道20 V、30 mOhm典型值、6 A、2.7 V驱动STripFET II功率MOSFET，SO-8封装
- STD155N3LH6 N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装
- STT6N3LLH6 N沟道30 V、0.021 Ohm、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，SOT23-6L封装
- STL19N3LLH6AG 汽车级N沟道30 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STL66DN3LLH5 汽车级双路N沟道30 V、5.9 mOhm典型值、20 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- STD100N3LF3 N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
- STL66N3LLH5 汽车级N沟道30 V、4.5 mOhm典型值、80 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STL56N3LLH5 N沟道30 V、0.0076 Ohm典型值、56 A STripFET H5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STS10DN3LH5 双路N沟道30 V、0.019 Ohm、10 A SO-8 STripFET (TM) V功率MOSFET