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意法半导体击穿电压范围为33 V ~ 350 V的STripFET N沟道MOSFET提供了超低栅极电荷和低至1.1 mΩ(40 V)的低导通电阻,采用PowerFLAT 5x6封装。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

N沟道MOSFET产品设计用于满足同步整流、UPS、电机控制、SMPS、以太网供电(PoE)、逆变器和汽车应用的各种要求。

STripFET N沟道功率MOSFET提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、ISOTOP、Max247、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、PowerFLAT 5x6和3.3x3.3。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。