N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      DS10853

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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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