STL220N6F7

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N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 260 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      4.0
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      DS10089

      N-channel 60 V, 1.2 mΩ typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

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      1.1
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STL220N6F7
批量生产
PowerFLAT 5x6 Industrial Ecopack2

STL220N6F7

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持