STL38DN6F7AG

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汽车级双路N沟道60 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双岛封装

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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      DS12506

      Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mΩ typ., 10 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 5x6 double island WF 汽车应用 Ecopack2

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PowerFLAT 5x6 double island WF

Material Declaration**:

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PowerFLAT 5x6 double island WF

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Automotive

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 double island WF - - CHINA

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