STL50N6F7

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N沟道60 V、9 mOhm典型值、60 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 与上一代相比,具有最低的Rx 面积值
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      DS11158
      N-channel 60 V, 9 mΩ typ., 60 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
      2.0
      862.47 KB
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      DS11158

      N-channel 60 V, 9 mΩ typ., 60 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

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PowerFLAT 5x6

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PowerFLAT 5x6

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Industrial

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 - - CHINA 0.7 / 1k

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EAR99

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NEC

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Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6

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