N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

    Key Features

    • N-沟道增强模式
    • 与上一代相比,具有更低的R x 面积值
    • 100 %额定雪崩

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      DS10195
      N-channel 100 V, 0.027 Ω typ., 7 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package
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      DS10195

      N-channel 100 V, 0.027 Ω typ., 7 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package

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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      1,006.7 KB
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      AN4191
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STL7N10F7
批量生产
PowerFLAT 3.3x3.3 工业 Ecopack2

STL7N10F7

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

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批量生产

Package

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Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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