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MDmesh™ DM2系列是意法半导体最新推出的带快速恢复二极管的MOSFET,针对全桥移相ZVS拓扑进行了优化。

这些400 V - 650 V功率MOSFET具有超低反向恢复电荷和时间(Qrr,Trr),与前一代相比,RDS(on)降低了40%。高dV/dt稳定性(40 V/ns)让器件即使出现了大电压瞬态(如AC电源线上的噪声和谐波)也能可靠运行。我们的快速恢复二极管MOSFET属于STPOWER系列。

关键特性和优势

 

  • 改进的本征二极管反向恢复时间(Trr),提高了效率
  • 更高耐dV/dt能力,可提高系统可靠性
  • 具有AEC-Q101认证的400 V、500 V、600 V和650 V 超结MOSFET适合汽车应用。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。