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超低栅极电荷(Qg)结合最佳的输出电容(Coss)曲线,使得意法半导体MDmesh M2系列成为谐振型电源(LLC转换器)的理想选择。

MDmesh M2 N-沟道SJ MOSFET击穿电压介于400 V至650 V之间,提供了众多封装选项,包括新型4针TO247-4(其专用控制引脚提高了开关效率)和1 mm高表面贴装PowerFLAT 8x8 HV以及PowerFLAT 5x6 HV(其采用裸露金属漏垫提高了散热效率)。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET关键特性与优势

  • 超低的Qg提高了效率
  • 为谐振型电源(LLC转换器)优化了栅极电荷和电容曲线

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。