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结合低栅极电荷(Qg)和优化的电容曲线,MDmesh™M6系列超结高压MOSFET成为了当今谐振拓扑的参考。这种全新的超结MDmesh™M6系列为功率转换器设计人员打开了一扇大门,使其能设计实现高效率和高功率密度的新型方案。

MDmesh™M6功率MOSFET的击穿电压范围为600 V至700 V,可提供多种封装选项,包括:

这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET关键特性与优势:

  • 优化了软开关的阈值电压
  • 良好的硬开关和软开关行为
  • 低栅极电荷,可在高频下运行
  • 电容曲线和阈值电压经过优化,可针对功率转换应用中的新拓扑实现高效率
  • 极高的效率性能,增加功率密度
  • 产品种类丰富

我们的超结MOSFET产品组合涵盖了工业应用的各种工作电压,例如:充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。