MDmesh M6系列

结合低栅极电荷（Qg）和优化的电容曲线，MDmesh™M6系列超结高压MOSFET成为了当今谐振拓扑的参考。这种全新的超结MDmesh™M6系列为功率转换器设计人员打开了一扇大门，使其能针对高效率和高功率密度设计新型方案。

MDmesh™M6功率MOSFET的击穿电压范围为600 V至700 V，可提供多种封装选项，包括：

• 高压PowerFLAT 5x6解决方案可在5 x 6毫米的占地面积内提供最长的绝缘路径和最高650 V的最大运行间隙。     ||| 新产品|||
• TO-无引线（TO-LL）封装可实现有效的热管理
• 超薄型表面贴装高压PowerFLAT 8x8封装，具有专用的Kelvin源连接，可改善栅极驱动能力，从而提高MOSFET的效率

这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET关键特性与优势：

• 优化了软开关的阈值电压
• 良好的硬开关和软开关行为
• 低栅极电荷，可在高频下运行
• 电容曲线和阈值电压经过优化，可针对功率转换应用中的新拓扑实现高效率
• 极高的效率性能，增加功率密度
• 产品种类丰富

我们的超结MOSFET产品组合涵盖了工业应用的各种工作电压，例如：充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。