N-沟道 (>700V)

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意法半导体的MDmesh高压及超高压MOSFET具有超过700 V的击穿电压和超低的栅极电荷(Qg),其导通电阻RDS(on)在TO-220封装中低至250 mΩ(900 V时),在TO-247 MDmesh K5系列中低至900 mΩ(1500 V时)。此外,意法半导体还在不断发展超高压超结技术,该技术以最近的一款MDmesh K6为代表,目前可提供800V DPAK封装的最佳Rdson。此类高压超结功率MOSFET属于STPOWER系列。

提供的比电压包括800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1050 V、1200 V和1700 V。

意法半导体还丰富了其超高电压MOSFET产品组合,引入了950 V和1050 V快速恢复二极管器件(MDmesh DK5)。它们拥有业内最佳的反向恢复时间(trr)250 ns(典型值),非常适合ZVS LLC谐振转换器。

这些N沟道高压MOSFET允许简化设计,提高了SMPS、显示器和TV适配器、辅助电源、电池充电器、医疗、UPS、计量、微逆变器、LED驱动器、HF镇流器等应用的效率

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。