N-沟道 (>700V)

意法半导体的MDmesh高压及超高压MOSFET具有超过700 V的击穿电压和超低的栅极电荷（Qg），其导通电阻R_DS(on)在TO-220封装中低至250 mΩ（900 V时），在TO-247 MDmesh K5系列中低至900 mΩ（1500 V时）。此外，意法半导体还在不断发展超高压超结技术，该技术以最近的一款MDmesh K6为代表，可提供目前采用DPAK封装的800V最佳Rdson。此类高压超结功率MOSFET属于STPOWER系列。

提供的具体电压包括800 V、850 V、900 V、950 V、1000 V、1050 V、1200 V和1700 V。

意法半导体还丰富了其超高电压MOSFET产品组合，引入了950 V和1050 V快速恢复二极管器件（MDmesh DK5）。它们拥有业内最佳的反向恢复时间（t_rr）250 ns（典型值），非常适合ZVS LLC谐振转换器。

这些N沟道高压MOSFET允许简化设计，提高了SMPS、显示器和TV适配器、辅助电源、电池充电器、医疗、UPS、计量、微逆变器、LED驱动器、HF镇流器等应用的效率。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。