意法半导体的P沟道MOSFET产品组合通过增加沟槽栅极器件得到了扩展。这些新型STripFET MOSFET具有极低的导通电阻。采用超小型封装，专为便携应用设计。
我们的P沟道MOSFET产品组合的主要特点：
- 超低的RDS(on)，增强了应用的效率
- 标准、逻辑和超级阈值，增强了设计的灵活性
此类P沟道功率MOSFET经过优化，可满足负载开关，线性稳压器和汽车应用的广泛设计要求。它们提供了多种小型封装选项，例如D2PAK, DPAK、TO-220、SO-8、SOT-223、SOT23-6L和PowerFLAT 2x2。
特别推荐
Automotive-grade p-channel MOSFETs
ST has extended its offering of automotive-grade MOSFETs with the introduction of two p-channel trench-based MOSFETs. Based on ST’s STripFET H6 and F6 technology respectively, the STD37P3H6AG (-30 V, standard level driven) and STD45P4LLF6AG (-40 V, logic level driven) are housed in a DPAK package. They help simplify circuitry while optimizing performance and component count in automotive applications such as high-side switches, reverse polarity protection and audio amplifiers.
- STD36P4LLF6 P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6，DPAK封装
- STD45P4LLF6AG 汽车级P沟道-40 V、12 mOhm典型值、-50 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STD95P3LLH6AG 汽车级P沟道-30 V、5 mOhm典型值、-80 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装
- STD46P4LLF6 P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、46 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STL60P4LLF6 P沟道-40 V、0.0115 Ohm典型值、-60 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STL12P6F6 P沟道60 V、0.13 Ohm典型值、3 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STN3P6F6 P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-3 A STripFET F6功率MOSFET，SOT-223封装
- STN3P10F6 P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、3 A STripFET F6功率MOSFET，SOT-223封装
- STD26P3LLH6 P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、12 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，DPAK封装
- STL6P3LLH6 P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
- STS9P3LLH6 P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装
- STS6P3LLH6 P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、6 A STripFET(TM) VI DeepGATE功率MOSFET，SO-8封装
- STL9P3LLH6 P沟道-30 V、12 mOhm典型值、-9 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
- STL45P3LLH6 P沟道-30 V、11 mOhm典型值、-45 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STD15P6F6AG 汽车级P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STS7P4LLF6 P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、7 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装
- STS10P3LLH6 P沟道-30 V、0.01 Ohm典型值、-12.5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装
- STL8P4LLF6 P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、8 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 3.3 x 3.3封装
- STD35P6LLF6 P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STD40P8F6AG 汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STS10P4LLF6 P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET，SO-8封装
- STL42P6LLF6 P沟道60 V、0.023 Ohm典型值、42 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STD10P10F6 P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STR2P3LLH6 P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、2 A STripFET H6功率MOSFET，SOT-23封装
- STL4P3LLH6 P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 2x2封装
- STD10P6F6 P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装
- STL30P3LLH6 P沟道30 V、0.024 Ohm典型值、30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 5x6封装
- STD52P3LLH6 P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET，DPAK封装
- STT4P3LLH6 P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、4 A STripFET H6功率MOSFET，SOT23-6L封装
- STL62P3LLH6 P沟道30 V、0.009 Ohm典型值、62 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STL42P4LLF6 P沟道40 V、0.0155 Ohm典型值、42 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- STS5P3LLH6 P沟道30 V、0.048 Ohm典型值、5 A STripFET H6功率MOSFET，SO-8封装