STD37P3H6AG

NRND

汽车级P沟道-30 V、11 mOhm典型值、-49 A STripFET H6功率MOSFET,DPAK封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

All tools & software

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD37P3H6AG
NRND
DPAK 汽车应用 Ecopack1

STD37P3H6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

DPAK

Operating Temperature (°C)

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-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商