STD37P3H6AG

NRND

汽车级P沟道-30 V、11 mOhm典型值、-49 A STripFET H6功率MOSFET,DPAK封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS11090
      Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -49 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package
      1.0
      407.25 KB
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      DS11090

      Automotive-grade P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -49 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a DPAK package

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD37P3H6AG
NRND
DPAK 汽车应用 Ecopack1

STD37P3H6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型

Tape And Reel

封装

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Country of Origin

CHINA

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