STD45P4LLF6AG

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Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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      DS11026
      Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package
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      DS11026

      Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STD45P4LLF6AG PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD45P4LLF6AG
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DPAK Automotive Ecopack1

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Package:

DPAK

Material Declaration**:

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Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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