STD45P4LLF6AG

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汽车级P沟道-40 V、12 mOhm典型值、-50 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS11026
      Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package
      2.0
      729.64 KB
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      DS11026

      Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mΩ typ., -50 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STD45P4LLF6AG PSpice model 1.0
      8.95 KB
      ZIP

      STD45P4LLF6AG PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STD45P4LLF6AG
批量生产
DPAK 汽车应用 Ecopack1

STD45P4LLF6AG

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

DPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型

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封装

DPAK

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Country of Origin

CHINA

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