SCTW100N65G2AG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A, 20 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package

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  • 该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅(SiC)MOSFET技术开发而成。器件具有每区域超低的导通状态电阻和卓越的开关性能。RDS(on) 和开关损耗的变化受工作结温的影响都非常小。

    主要特性

    • 专为汽车应用而设计
    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 低电容

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      UM1575
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出版刊物和宣传资料

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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
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      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0
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      SiC MOSFET: The real breakthrough in high-voltage switching

      SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
SCTW100N65G2AG
批量生产
HIP247 Automotive Ecopack2

SCTW100N65G2AG

Package:

HIP247

Material Declaration**:

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批量生产

Package

HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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