使用STPOWER SiC MOSFET创建比以往更高效、更紧凑的系统
借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650至2200 V的扩展电压范围，是先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。
我们的SiC MOSFET的主要特点包括：
- 汽车级（AG）合格器件
- 超高温处理能力（最高TJ = 200°C）
- 超高开关工作频率和极低开关损耗
- 低导通状态电阻
- 栅极驱动可兼容现有IC
- 稳定的超快速本体二极管
我们的SiC MOSFET产品组合包括先进的封装（HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK），专为满足汽车和工业应用的严格要求而设计。
除了新式封装技术，我们的SiC MOSFET（包括G3器件）还可采用裸露晶片形式。符合严格的汽车级要求（包括晶圆级老化（WLBI）和已知良好晶片（KGD）过程），裸露晶片可采用重构晶圆或卷盘封装。
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STPOWER SiC can be applied to all types of energy handling
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- SCTWA60N12G2-4AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247-4 package
- SCTWA40N120G2AG Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package
- SCTW60N120G2 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an HiP247 package
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