STPSC20H12CWY

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20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode, available in TO-247, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Robust high-voltage periphery
    • PPAP capable
    • Operating Tj from -40 °C to 175 °C
    • ECOPACK2 compliant

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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC20H12CWY

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STPSC20H12CWY
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HIP247 オートモーティブ Ecopack2

STPSC20H12CWY

Package:

HIP247

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HIP247

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube HIP247 -40 175 5.484 / 100
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Junction Temperature (°C) (max):

175

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CHINA

STPSC20H12CWY

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ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

5.484 / 100

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DIGIKEY WORLDWIDE 326 1 発注する
MOUSER WORLDWIDE 1 1 発注する
Farnell Element14 EUROPE 6 1 発注する

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販売代理店在庫データ: 2021-09-23

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247

Operating Temperature (°C)

(最小)

-40

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

5.484 / 100

Junction Temperature (°C) (max)

175

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。