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  • The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

    Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    主な特徴

    • ESD protection
    • Diagnostic feedback through input pin
    • Compatible with standard Power MOSFET
    • Linear current limitation
    • Short circuit protection
    • Thermal shutdown
    • Low current drawn from input pin
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Integrated clamp

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VND14NV04-1-E IPAK Tube -
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2070
      "OMNIFET II" fully autoprotected Power MOSFET
      9.0
      1.12 MB
      PDF
      DS2070

      "OMNIFET II" fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VND14NV04-1-E
NRND
IPAK オートモーティブ Ecopack1

VND14NV04-1-E

Package:

IPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

IPAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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