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  • The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics®VIPower®M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.

    Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

    Key Features

    • Linear current limitation
    • Thermal shutdown
    • Short circuit protection
    • Integrated clamp
    • Low current drawn from input pin
    • Diagnostic feedback through input pin
    • ESD protection
    • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
    • Compatible with standard Power MOSFET

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VNV35NV04-E PowerSO-10 Tube -
プレビュー
- - EAR99 - 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

VNV35NV04-E

パッケージ

PowerSO-10

梱包タイプ

Tube

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9212
      OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET
      5.0
      555.46 KB
      PDF
      DS9212

      OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Smart power solutions for car body applications 4.0
      1.17 MB
      PDF

      Smart power solutions for car body applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
VNV35NV04-E
プレビュー
PowerSO-10 オートモーティブ Ecopack1

VNV35NV04-E

Package:

PowerSO-10

Material Declaration**:

Marketing Status

プレビュー

Package

PowerSO-10

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.