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STのSiC(シリコン・カーバイド)ダイオードは、今日の厳しい省エネ規制(Energy Star、80Plus、European Efficiency)に適合し、標準的なシリコン・ダイオードと比べて15%低い順電圧降下(VF)で4倍優れた動的特性を実現しています。 
STのSiCダイオードはSTPOWERファミリの製品です。 

SiCにより、太陽光発電用インバータやモータ駆動機器、無停電電源、電気自動車用回路の効率と堅牢性が大幅に向上します。

STは、600V~1200V定格でダイオード1素子入り/2素子入りの構成を、DPAKからTO-247までのさまざまなパッケージ・サイズで提供しています。パッケージは、セラミックで絶縁されたTO-220や、薄型かつ小型のPowerFLATTM 8x8を用意しています。PowerFLATTM 8x8は、高電圧に対応する面実装型(SMD)パッケージの新しい標準パッケージで、650V / 4A~10A定格のSiCダイオードで利用可能です。

  

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SiC diodes – compact surface-mount PowerFLAT™ 8x8 HV packages

To help engineers design denser, more efficient power conversion stages, ST's compact surface-mount PowerFLAT™ 8x8 HV devices feature excellent thermal performance. Moreover, ST took a few extra steps to propose a 4 to 10 A range (STPSC4H065DLFSTPSC6H065DLFSTPSC8H065DLF, STPSC10H065DLF and STPSC10065DLF) with super-power density.

  • Package less than 1 mm thick
  • Forward voltage (VF) improved by 200 mV
  • High-voltage creepage: 2.75 mm
  • Designed and built for high inrush current (IFSM)
  • Rth thermal resistance as low as 1.7°C/W

 

ダイオード(パワー・ショットキー & FERD)スマート・セレクタ