STPSC10H065-Y

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Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode

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製品概要

概要

The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Dedicated to PFC applications
    • High forward surge capability
    • PPAP capable
    • ECOPACK®2 compliant component

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STPSC10H065-Y

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製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC10H065GY-TR
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D2PAK オートモーティブ Ecopack2

STPSC10H065GY-TR

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

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Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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