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  • These diodes are manufactured using silicon carbide substrate. This wide bandgap material supports the manufacture of a Schottky diode structure with a high voltage rating. Such diodes exhibit no or negligible recovery characteristics.

    The recovery characteristics are independent of the temperature.
    Using these diodes will significantly reduce the switching power losses of the associated MOSFET, and thus increase the efficiency of the overall application. These diodes will then outperform the power factor correction circuit operating in hard switching conditions.

    主な特徴

    • No reverse recovery
    • Dedicated to PFC boost diode
    • Switching behavior independent of temperature

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推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      Diode product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6485
      600 V power Schottky silicon carbide diode
      1.1
      84.22 KB
      PDF
      DS6485

      600 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
      4.75 MB
      PDF
      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      6.0
      444.57 KB
      PDF
      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
      99.21 KB
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

プレゼンテーション & トレーニング資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      ST products and solutions for solar energy 5.1
      2.09 MB
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      Silicon-carbide diode product presentation 1.0
      1,022.79 KB
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      ST products and solutions for solar energy

      Silicon-carbide diode product presentation

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC1206D
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TO-220AC インダストリアル Ecopack2

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Package:

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