1200 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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  • ST's 1200 V high-performance rectifier is specifically designed to be used in photo-voltaic inverters or in applications where negligible switching losses are required.

    The STPSC6H12 helps to increase the application efficiency yield by up to 2% thanks to its ability to work at high frequency whatever the temperature.
    The central lead of the DPAK package is removed to meet the IEC60664 and UL 840 standard requirements for a higher voltage.
    These characteristics make it the best-in-class 1200 V diode.

    主な特徴

    • High frequency free-wheel / boost diode
    • Robust high-voltage periphery
    • Ultrafast high voltage switching independent of temperature

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      DS9659
      1200 V power Schottky silicon carbide diode
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      DS9659

      1200 V power Schottky silicon carbide diode

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
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      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
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プレゼンテーション & トレーニング資料

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      Silicon-carbide diode product presentation 1.0
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      Silicon-carbide diode product presentation

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STPSC6H12B-TR1
Active
DPAK HV 2L インダストリアル Ecopack1

STPSC6H12B-TR1

Package:

DPAK HV 2L

Material Declaration**:

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Package

DPAK HV 2L

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Ecopack1

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