600 V power Schottky silicon carbide diode

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  • The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

    ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

    主な特徴

    • No or negligible reverse recovery
    • Switching behavior independent of temperature
    • Particularly suitable in PFC boost diode function

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS6483
      600 V power Schottky silicon carbide diode
      3.1
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      DS6483

      600 V power Schottky silicon carbide diode

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
      2.0
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
      2.0
      2.32 MB
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

    • Description バージョン サイズ アクション
      TN1173
      Packing information for IPAD™, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
      5.0
      1.04 MB
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      TN1173

      Packing information for IPAD™, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM0670
      80 W offline LED driver with PFC
      2.1
      1.83 MB
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      UM0670

      80 W offline LED driver with PFC

HW Model, CAD Libraries & SVD

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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 6.0
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プレゼンテーション & トレーニング資料

    • Description バージョン サイズ アクション
      ST products and solutions for solar energy 5.1
      2.09 MB
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      Silicon-carbide diode product presentation 1.0
      1,022.79 KB
      PDF

      ST products and solutions for solar energy

      Silicon-carbide diode product presentation

Publications and Collaterals

    • Description バージョン サイズ アクション
      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
      626.4 KB
      PDF
      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
      258.19 KB
      PDF
      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop 1.0
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      Industrial-grade SiC diodes - 650V and low VF - to boost the performance of power converters 2.0
      879.18 KB
      PDF
      ST Diodes Finder : the new app for Android and iOS 2.0
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      Silicon-carbide diodes 1.0
      1.42 MB
      PDF

      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

      Automotive-grade SiC diodes with very low forward voltage drop

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    • Description バージョン サイズ アクション
      Diodes and rectifiers selection guide 2.0
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      Diodes and rectifiers selection guide

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Products and solutions for solar energy 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

      Products and solutions for solar energy

    • Description バージョン サイズ アクション
      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0
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      Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics

製品型番 Marketing Status パッケージ Grade RoHS Compliance Grade Material Declaration**
STPSC806D
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TO-220AC インダストリアル Ecopack2
STPSC806G-TR
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STPSC806D

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