製品概要
概要
STDRIVEG600は、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル・パワーMOSFET向けの、1チップに集積されたハーフブリッジ・ゲート・ドライバです。 ハイサイド・セクションは、600Vまでの電圧に耐えられるよう設計されており、最大500Vのバス電圧を用いた設計に適しています。大電流容量、短い伝搬遅延時間、および最低5Vの電源電圧で動作でき、高速GaNやSi FETの駆動用に設計されています。
STDRIVEG600には、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部にUVLO保護が搭載されており、効率の低い状態や危険な状態ではパワー・スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。
ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、マイクロコントローラやDSPと簡単に接続することができます。
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特徴
- dV/dt耐性: ±200V/ns
- ドライバ駆動電流:
- 25℃ / 6Vでソース(1.3A typ.) / シンク(2.4A typ.)
- 25℃ / 15Vでソース(5.5A typ.) / シンク(6A typ.)
- 分離されたターンオン / ターンオフのゲート・ドライバ・ピン
- 厳密にマッチングされた伝播遅延: 45ns
- TTL / CMOS入力: 3.3V / 5V(ヒステリシス付き)
- インターロック機能
- ローサイド / ハイサイド双方にUVLO搭載
- シャット・ダウン専用端子
- 過熱保護
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すべてのリソース
Resource title | バージョン | Latest update |
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製品スペック (1)
Resource title | バージョン | Latest update | ||
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1.0 | 22 Jun 2021 | 22 Jun 2021 |
フライヤ (1)
Resource title | バージョン | Latest update | ||
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1.0 | 01 Oct 2021 | 01 Oct 2021 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
品質 & 信頼性
製品型番 | マーケティング・ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STDRIVEG600 | 量産中 | SO-16 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STDRIVEG600TR | 量産中 | SO-16 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STDRIVEG600 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | SO-16 | -40 | 150 | TAIWAN | | ||
STDRIVEG600TR | 3 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | SO-16 | -40 | 150 | TAIWAN | |
(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。