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パワー・トランジスタ

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産業用パワー・トランジスタ

STの革新的な技術を活用したパワー・トランジスタであるSTPOWERファミリは、広範なパッケージ・ポートフォリオと革新的なダイ・ボンディング技術を活用した高電圧および低電圧アプリケーション向けの最先端パワー・テクノロジーです。STは、耐圧-100V~1700VのパワーMOSFET、300V~1250VのIGBT、および15V~1700Vのパワー・バイポーラ・トランジスタを含む幅広い製品ポートフォリオを提供しています。STの SiC(シリコン・カーバイド)MOSFETは、パワー・エレクトロニクス・システムにおける熱設計の改良により業界最高クラスの200°Cの温度定格と650V~1700Vの耐圧範囲を実現し、優れた堅牢性をもちます。シリコン基板上にGaN(窒化ガリウム)を形成するGaN/Si(ガン・オン・シリコン)トランジスタは、100V~650Vの範囲において優れた動的オン抵抗と小さいキャパシタンスをもち、きわめて高い電力効率と電力密度を実現します。

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護を兼ね備えることで、高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションを簡単に見つけることができます。

STは10年間の長期供給保証プログラムにより、継続的かつ安定した製品供給を行います。


STは、高電圧MOSFET IGBTやインテリジェント・パワー・モジュール(IPM)製品を10年間の長期供給保証プログラムの対象としています。
通知日から最低10年間にわたって対象のデバイスが利用可能であることを保証し、お客様の設計資産をサポートします。
保証対象のSTPOWERトランジスタおよびモジュールの一覧はこちら

ワイド・バンドギャップ・トランジスタ

ワイド・バンドギャップ・トランジスタSiC MOSFET電力効率の向上、小型化、軽量化、システムコストの低減を実現する650V~1700V耐圧SiC MOSFETおよび100V~650V耐圧GaNトランジスタ

パワーMOSFET

MOSFET

-100V~1700Vの広い耐圧範囲において、低いゲート電荷とオン抵抗を誇るデバイスを、最先端のパッケージで提供

IGBT

IGBT

耐圧300V~1250V伝導損失を低減する低いVCE(SAT)温度上昇を抑えるスイッチオフ特性の改善

パワー・バイポーラ・トランジスタ

パワー・バイポーラ・トランジスタ

VCES15V~1700Vのダーリントン・トランジスタやBJT(バイポーラ・ジャンクション・トランジスタ)など

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