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  • The devices are NPN transistors manufactured using new \"PB-HCD\" (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • Fast-switching speed
    • High current gain characteristic

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2STX1360-AP TO-92 Tape And Reel
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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS4472
      Low voltage fast-switching NPN power transistors
      3.1
      618.45 KB
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      DS4472

      Low voltage fast-switching NPN power transistors

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      TN0026

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
2STX1360-AP
NRND
TO-92 Industrial Ecopack1

2STX1360-AP

Package:

TO-92

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

TO-92

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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