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  • The devices are NPN transistors manufactured using new \"PB-HCD\" (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.

    主な特徴

    • Very low collector-emitter saturation voltage
    • Fast-switching speed
    • High current gain characteristic

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2STX1360-AP TO-92 Tape And Reel
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技術文書

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      DS4472

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      TN0026

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
2STX1360-AP
NRND
TO-92 インダストリアル Ecopack1

2STX1360-AP

Package:

TO-92

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

TO-92

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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