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650V IGBT Mシリーズは、ハードスイッチング回路トポロジで2kHz~20kHzの範囲で動作するアプリケーション向けに設計され、導通損失とスイッチオフ損失のバランスを最適化しています。IGBTはSTPOWER™ファミリに属しています。

起動時温度150˚C(Tᴊ)における最小短絡保証時間が6µsであり、さらに最高動作温度が175˚C(Tᴊ)で安全動作領域(SOA)が広いため、電力損失の大きなアプリケーションの寿命を延ばし、信頼性を向上します。

定格電流は4A~120Aであり、低順電圧降下と高度のソフト・リカバリを保ちつつ高速リカバリ向けに最適化された、新たなフリーホイール・ダイオードを含む様々なパッケージで提供されています。

主な特徴

  • 最大20kHzのアプリケーション向け低損失IGBT
  • 650Vのブレークダウン電圧、6µsの最小短絡定格時間(起動時 TJ150˚Cの場合)、および175˚Cの拡張最高動作温度(TJ)による、高い堅牢性と信頼性
  • 高い熱抵抗に対応する薄型IGBTダイ
  • 正のVCE(sat)温度係数および狭いパラメータ分布による設計の簡素化および容易な並列化
  • 高速リカバリ向けに最適化されたダイオード(高度のソフト・リカバリ、低EMI、およびターンオン損失)

STの幅広いSTPOWER™製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーションに適したソリューションの設計をサポートします。


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